JBE084M - описание и поиск аналогов

 

JBE084M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JBE084M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1048 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JBE084M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE084M даташит

 ..1. Size:566K  jiejie micro
 jbe084m.pdf pdf_icon

JBE084M

 9.1. Size:1298K  jiejie micro
 jbe083ns.pdf pdf_icon

JBE084M

80V, 133A, 5.8m N-channel Power SGT MOSFET JBE083NS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 133 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managem

 9.2. Size:1352K  jiejie micro
 jbe083m.pdf pdf_icon

JBE084M

80V, 199A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JBE083M Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-263-

Другие MOSFET... JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , IRFZ48N , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC .

History: 4N65KG-TF1-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.