JMCL0410AGD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMCL0410AGD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6(2) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74(89) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019(0.039) Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMCL0410AGD
Principales características: JMCL0410AGD
jmcl0410agd.pdf
JMCL0410AGD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 16A Battery Protection RDS(ON)
jmcl0410aud.pdf
JMCL0410AUD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 14A Battery Protection RDS(ON)
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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