JMCL0410AGD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMCL0410AGD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6(2) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74(89) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019(0.039) Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMCL0410AGD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMCL0410AGD даташит

 ..1. Size:1337K  jiejie micro
jmcl0410agd.pdfpdf_icon

JMCL0410AGD

JMCL0410AGD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 16A Battery Protection RDS(ON)

 5.1. Size:1066K  jiejie micro
jmcl0410aud.pdfpdf_icon

JMCL0410AGD

JMCL0410AUD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 14A Battery Protection RDS(ON)

Другие IGBT... JMSH1566AK, JMSH1566AKQ, JBL102E, JBL102T, JBL102Y, JBL111P, JBL112T, JBL113P, IRFB4115, JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD, JMH65R040ASFD, JMH65R040ASFDQ, JMH65R040PSFD, JMH65R070PCFD, JMH65R070PFFD, JMH65R070PSFD