JMCL0410AGD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMCL0410AGD 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6(2) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74(89) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019(0.039) Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMCL0410AGD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMCL0410AGD даташит
jmcl0410agd.pdf
JMCL0410AGD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 16A Battery Protection RDS(ON)
jmcl0410aud.pdf
JMCL0410AUD Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 40V, 14A Battery Protection RDS(ON)
Другие IGBT... JMSH1566AK, JMSH1566AKQ, JBL102E, JBL102T, JBL102Y, JBL111P, JBL112T, JBL113P, IRFB4115, JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD, JMH65R040ASFD, JMH65R040ASFDQ, JMH65R040PSFD, JMH65R070PCFD, JMH65R070PFFD, JMH65R070PSFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet


