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JMPC18N20BJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC18N20BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 191 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMPC18N20BJ

 

Principales características: JMPC18N20BJ

 ..1. Size:1257K  jiejie micro
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JMPC18N20BJ

200V, 18A, 113m N-channel Power Planar MOSFET JMPC18N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 18 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 113 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

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JMPC18N20BJ

JMPC18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

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JMPC18N20BJ

JMPC15N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 15A Load Switch RDS(ON)

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JMPC18N20BJ

JMPC13N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 13A Load Switch RDS(ON)

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History: PSMN1R0-25YLD | UPA2717GR

 

 
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