JMPC20N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPC20N65BJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMPC20N65BJ datasheet

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JMPC20N65BJ

JMPC20N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 20A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:1045K  jiejie micro
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JMPC20N65BJ

JMPC20N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 20A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
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JMPC20N65BJ

600V, 25A, 282m N-channel Power Planar MOSFET JMPC25N60BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 600 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 25 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 282 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

 9.2. Size:1045K  jiejie micro
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JMPC20N65BJ

JMPC25N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 25A Load Switch RDS(ON)

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