JMPF18N50BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPF18N50BJ 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220F

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMPF18N50BJ datasheet

..1. Size:1002K jiejie micro
jmpf18n50bj.pdf pdf_icon

JMPF18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:491K jiejie micro
jmpf10n65bj.pdf pdf_icon

JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:393K jiejie micro
jmpf12n65bj.pdf pdf_icon

JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:1002K jiejie micro
jmpf16n60bj.pdf pdf_icon

JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)