JMPF18N50BJ Todos los transistores

 

JMPF18N50BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPF18N50BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMPF18N50BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf18n50bj.pdf pdf_icon

JMPF18N50BJ

JMPF18N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 18A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:491K  jiejie micro
 jmpf10n65bj.pdf pdf_icon

JMPF18N50BJ

JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:393K  jiejie micro
 jmpf12n65bj.pdf pdf_icon

JMPF18N50BJ

JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf16n60bj.pdf pdf_icon

JMPF18N50BJ

JMPF16N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 16A Load SwitchRDS(ON)

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