JMPF18N50BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPF18N50BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF18N50BJ
JMPF18N50BJ Datasheet (PDF)
jmpf18n50bj.pdf
JMPF18N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 18A Load SwitchRDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf
JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf
JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)
jmpf16n60bj.pdf
JMPF16N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 16A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , RU7088R , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , JMPK630BJ , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568










