JMPF18N50BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMPF18N50BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF18N50BJ
JMPF18N50BJ Datasheet (PDF)
jmpf18n50bj.pdf

JMPF18N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 18A Load SwitchRDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf

JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf

JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)
jmpf16n60bj.pdf

JMPF16N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 16A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , STP65NF06 , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , JMPK630BJ , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1001PTL | JMSH1001NTLQ | JMSH1001NTL | JMSH1001NS | JMSH1001NE7 | JMSH1001NE | JMSH1001NC | JMSH1001MTL | JMSH1001BTL | JMSH1001ATLQ | JMSH1001ATL | JMSH1001AE7Q | JMSH1001AE7 | JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568