JMPK630BJ Todos los transistores

 

JMPK630BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPK630BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de JMPK630BJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMPK630BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1290K  jiejie micro
jmpk630bj.pdf pdf_icon

JMPK630BJ

200V, 8.1A, 231m N-channel Power Planar MOSFETJMPK630BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8.1 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 231 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

Otros transistores... JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , 8N60 , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL , JMSH1001ATLQ , JMSH1001BTL , JMSH1001MTL , JMSH1001NC .

History: JMPF18N50BJ

 

 
Back to Top

 


History: JMPF18N50BJ

JMPK630BJ
  JMPK630BJ
  JMPK630BJ
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg

 


 
.