Справочник MOSFET. JMPK630BJ

 

JMPK630BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMPK630BJ
   Маркировка: K630BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMPK630BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPK630BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1290K  jiejie micro
 jmpk630bj.pdf pdf_icon

JMPK630BJ

200V, 8.1A, 231m N-channel Power Planar MOSFETJMPK630BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8.1 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 231 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

Другие MOSFET... JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , 8N60 , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL , JMSH1001ATLQ , JMSH1001BTL , JMSH1001MTL , JMSH1001NC .

 

 
Back to Top

 


 
.