JMPK630BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPK630BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPK630BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPK630BJ даташит

 ..1. Size:1290K  jiejie micro
 jmpk630bj.pdf pdf_icon

JMPK630BJ

200V, 8.1A, 231m N-channel Power Planar MOSFET JMPK630BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8.1 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 231 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

Другие IGBT... JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, JMPF16N65BJ, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, JMPK5N50BJ, IRFB7545, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, JMSH1001ATL, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL, JMSH1001MTL, JMSH1001NC