JMPK630BJ - описание и поиск аналогов

 

JMPK630BJ - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMPK630BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для JMPK630BJ

 

JMPK630BJ технические параметры

 ..1. Size:1290K  jiejie micro
 jmpk630bj.pdf pdf_icon

JMPK630BJ

200V, 8.1A, 231m N-channel Power Planar MOSFET JMPK630BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8.1 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 231 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

Другие MOSFET... JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , IRFB7545 , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL , JMSH1001ATLQ , JMSH1001BTL , JMSH1001MTL , JMSH1001NC .

History: HGK320N20S

 

 
Back to Top

 


 
.