SSN1N45B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSN1N45B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSN1N45B

SSN1N45B Datasheet (PDF)

..1. Size:667K fairchild semi
ssn1n45b.pdf

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

0.1. Size:666K fairchild semi
ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: