SSN1N45B Todos los transistores

 

SSN1N45B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSN1N45B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm

Encapsulados: TO92

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SSN1N45B datasheet

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SSN1N45B

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 0.1. Size:666K  fairchild semi
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SSN1N45B

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Otros transistores... RFD14N05SM9A, SI3443DV, SI4532DY, FDMA905P, FDME905PT, SI4542DY, FDC8886, FCP190N60, IRF1407, DMG1012T, DMG1012UW, DMG1024UV, DMG2302U, DMG3414U, DMG3420U, DMG5802LFX, DMG6898LSD

 

 

 

 

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