SSN1N45B Todos los transistores

 

SSN1N45B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSN1N45B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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SSN1N45B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  fairchild semi
 ssn1n45b.pdf pdf_icon

SSN1N45B

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 0.1. Size:666K  fairchild semi
 ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf pdf_icon

SSN1N45B

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Otros transistores... RFD14N05SM9A , SI3443DV , SI4532DY , FDMA905P , FDME905PT , SI4542DY , FDC8886 , FCP190N60 , P0903BDG , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , DMG5802LFX , DMG6898LSD .

History: HGB155N15S | 2N65G-AA3-R | VS4020AS | ME7114S-G

 

 
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