Справочник MOSFET. SSN1N45B

 

SSN1N45B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSN1N45B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.25 Ohm
   Тип корпуса: TO92

 Аналог (замена) для SSN1N45B

 

 

SSN1N45B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  fairchild semi
 ssn1n45b.pdf

SSN1N45B SSN1N45B

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 0.1. Size:666K  fairchild semi
 ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf

SSN1N45B SSN1N45B

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Другие MOSFET... RFD14N05SM9A , SI3443DV , SI4532DY , FDMA905P , FDME905PT , SI4542DY , FDC8886 , FCP190N60 , IRFZ46N , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , DMG5802LFX , DMG6898LSD .

 

 
Back to Top