JMSH1101PE7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1101PE7 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 303 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1572 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Encapsulados: TO263
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JMSH1101PE7 datasheet
jmsh1101pe7.pdf
110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 303 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic D
jmsh1101pe.pdf
110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana
jmsh1101pc.pdf
110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 166 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
jmsh1101ptl.pdf
110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Ma
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: TWS6604FL | SRH03P098LMTR-G | IRFI9540N | AO4818B | APT8043SFLLG | DH060N08D | APJ10N65P
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Liste
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