JMSH1101PE7 Todos los transistores

 

JMSH1101PE7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1101PE7
   Código: SH1101P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 303 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 174 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1572 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1101PE7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1180K  jiejie micro
 jmsh1101pe7.pdf pdf_icon

JMSH1101PE7

110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PE7Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 303 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementSchematic D

 4.1. Size:1252K  jiejie micro
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JMSH1101PE7

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 5.1. Size:1254K  jiejie micro
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JMSH1101PE7

110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 166 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 5.2. Size:1266K  jiejie micro
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JMSH1101PE7

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 256 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power Ma

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