JMSH1101PE7 - описание и поиск аналогов

 

JMSH1101PE7 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1101PE7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 303 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1572 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH1101PE7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1101PE7 технические параметры

 ..1. Size:1180K  jiejie micro
 jmsh1101pe7.pdf pdf_icon

JMSH1101PE7

110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 303 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic D

 4.1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh1101pe.pdf pdf_icon

JMSH1101PE7

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana

 5.1. Size:1254K  jiejie micro
 jmsh1101pc.pdf pdf_icon

JMSH1101PE7

110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 166 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 5.2. Size:1266K  jiejie micro
 jmsh1101ptl.pdf pdf_icon

JMSH1101PE7

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0801PTL , JMSH0802MC , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC , JMSH1101PE , IRFB3607 , JMSH1101PTL , JMSH1102QC , JMSH1102QE , JMSH1102QS , JMSH1102TC , JMSH1102TE , JMSH1102YC , JMSH1102YE .

 

 
Back to Top

 


 
.