DMG5802LFX Todos los transistores

 

DMG5802LFX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG5802LFX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1066.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN50206
 

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DMG5802LFX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  diodes
 dmg5802lfx.pdf pdf_icon

DMG5802LFX

DMG5802LFXDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 15m @ VGS = 4.5V 6.5A Low Input/Output Leakage 24V Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 20m @ VGS = 2.5V 5.6A "Green" Device (Note 2) ESD Protected up

Otros transistores... FCP190N60 , SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , 75N75 , DMG6898LSD , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD .

History: SI4532DY | STI76NF75 | WTC9435 | HSBB3060 | RDR005N25 | IRFR120TR | MTBA6C12Q8

 

 
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