DMG5802LFX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG5802LFX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1066.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: WDFN50206
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DMG5802LFX datasheet
dmg5802lfx.pdf
DMG5802LFX DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 15m @ VGS = 4.5V 6.5A Low Input/Output Leakage 24V Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 20m @ VGS = 2.5V 5.6A "Green" Device (Note 2) ESD Protected up
Otros transistores... FCP190N60, SSN1N45B, DMG1012T, DMG1012UW, DMG1024UV, DMG2302U, DMG3414U, DMG3420U, 18N50, DMG6898LSD, DMG6968U, DMG6968UDM, DMG6968UTS, DMG8601UFG, DMG8822UTS, DMG9926UDM, DMG9926USD
History: SVF4N65CAD
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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