Справочник MOSFET. DMG5802LFX

 

DMG5802LFX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG5802LFX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1066.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: WDFN50206
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG5802LFX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  diodes
 dmg5802lfx.pdf pdf_icon

DMG5802LFX

DMG5802LFXDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 15m @ VGS = 4.5V 6.5A Low Input/Output Leakage 24V Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 20m @ VGS = 2.5V 5.6A "Green" Device (Note 2) ESD Protected up

Другие MOSFET... FCP190N60 , SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , AON6380 , DMG6898LSD , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD .

History: STP150N10F7 | AOT600A60L | AFN3404S23RG | APQ02SN65AF | 2SK2232 | IRF3007S | OSG70R600AF

 

 
Back to Top

 


 
.