Справочник MOSFET. DMG5802LFX

 

DMG5802LFX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMG5802LFX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1066.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: WDFN50206

 Аналог (замена) для DMG5802LFX

 

 

DMG5802LFX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  diodes
 dmg5802lfx.pdf

DMG5802LFX DMG5802LFX

DMG5802LFXDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 15m @ VGS = 4.5V 6.5A Low Input/Output Leakage 24V Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 20m @ VGS = 2.5V 5.6A "Green" Device (Note 2) ESD Protected up

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top