DMG5802LFX - описание и поиск аналогов

 

DMG5802LFX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG5802LFX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1066.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: WDFN50206

Аналог (замена) для DMG5802LFX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG5802LFX даташит

 ..1. Size:136K  diodes
 dmg5802lfx.pdf pdf_icon

DMG5802LFX

DMG5802LFX DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 15m @ VGS = 4.5V 6.5A Low Input/Output Leakage 24V Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 20m @ VGS = 2.5V 5.6A "Green" Device (Note 2) ESD Protected up

Другие MOSFET... FCP190N60 , SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , 18N50 , DMG6898LSD , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD .

History: TSM4416DCS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.