DMG6898LSD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG6898LSD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1149 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: SO8
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DMG6898LSD datasheet
dmg6898lsd.pdf
DMG6898LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Di
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History: AO5800E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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