Справочник MOSFET. DMG6898LSD

 

DMG6898LSD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6898LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1149 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMG6898LSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6898LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  diodes
 dmg6898lsd.pdf pdf_icon

DMG6898LSD

DMG6898LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di

Другие MOSFET... SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , DMG5802LFX , 2N60 , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD , DMN2004DMK .

History: R6004KNJ | SSP60R105SFD2 | RU15P12C | IPL65R310E6

 

 
Back to Top

 


 
.