DMG6898LSD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DMG6898LSD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 1149 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для DMG6898LSD
DMG6898LSD Datasheet (PDF)
dmg6898lsd.pdf
DMG6898LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di
Другие MOSFET... SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , DMG3420U , DMG5802LFX , 20N50 , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD , DMN2004DMK .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166


