JMSH1003AE7Q Todos los transistores

 

JMSH1003AE7Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1003AE7Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 196 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1361 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7L
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1003AE7Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1003AE7Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  jiejie micro
jmsh1003ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AE7Q100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 196 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 5.1. Size:381K  jiejie micro
jmsh1003atlq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATLQ100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

 5.2. Size:327K  jiejie micro
jmsh1003agq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AGQ100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.3. Size:380K  jiejie micro
jmsh1003atl.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATL100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Compu

Otros transistores... JMSH0401CG , JMSH0401CGQ , JMSH0401MGQ , JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , IRF630 , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 .

 

 
Back to Top

 


 
.