Справочник MOSFET. JMSH1003AE7Q

 

JMSH1003AE7Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1003AE7Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 196 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1361 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7L
 

 Аналог (замена) для JMSH1003AE7Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003AE7Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  jiejie micro
 jmsh1003ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AE7Q100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 196 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 5.1. Size:381K  jiejie micro
 jmsh1003atlq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATLQ100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

 5.2. Size:327K  jiejie micro
 jmsh1003agq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AGQ100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.3. Size:380K  jiejie micro
 jmsh1003atl.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATL100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Compu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0401CG , JMSH0401CGQ , JMSH0401MGQ , JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , IRF630 , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 .

 

 
Back to Top

 


 
.