JMSH1003AE7Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1003AE7Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 196 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1361 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263-7L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1003AE7Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003AE7Q даташит

 ..1. Size:313K  jiejie micro
 jmsh1003ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AE7Q 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 196 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 5.1. Size:381K  jiejie micro
 jmsh1003atlq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATLQ 100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

 5.2. Size:327K  jiejie micro
 jmsh1003agq.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003AGQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.3. Size:380K  jiejie micro
 jmsh1003atl.pdf pdf_icon

JMSH1003AE7Q

JMSH1003ATL 100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Compu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0401CG, JMSH0401CGQ, JMSH0401MGQ, JMSH0401PE, JMSH0401PG, JMSH0401PGQ, JMSH0401PTS, JMSH0401PTSQ, IRFP260N, JMSH1003AG, JMSH1003AGQ, JMSH1003AGWQ, JMSH1003ATL, JMSH1003ATLQ, JMSH1003NC, JMSH1003NE, JMSH1003NE7