JMH65R430ACFP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMH65R430ACFP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de JMH65R430ACFP MOSFET
JMH65R430ACFP Datasheet (PDF)
jmh65r430acfp.pdf

JMH65R430ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H
jmh65r430af.pdf

JMH65R430AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal
jmh65r430akq.pdf

JMH65R430AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P
jmh65r430apln.pdf

JMH65R430APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H
Otros transistores... JMH65R360AK , JMH65R360MF , JMH65R360MK , JMH65R360PF , JMH65R360PK , JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD , IRFB3607 , , , , , , , , .



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