JMH65R430ACFP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMH65R430ACFP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMH65R430ACFP
JMH65R430ACFP Datasheet (PDF)
jmh65r430acfp.pdf

JMH65R430ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H
jmh65r430af.pdf

JMH65R430AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal
jmh65r430akq.pdf

JMH65R430AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P
jmh65r430apln.pdf

JMH65R430APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H
Другие MOSFET... JMH65R360AK , JMH65R360MF , JMH65R360MK , JMH65R360PF , JMH65R360PK , JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD , IRFB3607 , JMSH1018AC , JMSH1018AE , JMSH1018AG , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ .
History: JMH65R430AKQ
History: JMH65R430AKQ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet