JMH65R430ACFP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R430ACFP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R430ACFP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R430ACFP даташит

 ..1. Size:341K  jiejie micro
 jmh65r430acfp.pdf pdf_icon

JMH65R430ACFP

JMH65R430ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 364 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating H

 4.1. Size:350K  jiejie micro
 jmh65r430af.pdf pdf_icon

JMH65R430ACFP

JMH65R430AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 364 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.2. Size:359K  jiejie micro
 jmh65r430akq.pdf pdf_icon

JMH65R430ACFP

JMH65R430AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 370 m Eoss@400V 2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P

 4.3. Size:348K  jiejie micro
 jmh65r430apln.pdf pdf_icon

JMH65R430ACFP

JMH65R430APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 370 m Eoss@400V 2.2 J Pb-free Lead Plating H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMH65R360AK, JMH65R360MF, JMH65R360MK, JMH65R360PF, JMH65R360PK, JMH65R400MFFD, JMH65R400MKFD, JMH65R400MPLNFD, P55NF06, JMSH1018AC, JMSH1018AE, JMSH1018AG, JMSH1018PC, JMSH1018PE, JMSH1018PG, JMSH1018PGD, JMSH1018PGQ