JMSH1018PGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1018PGQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 383 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0197 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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Búsqueda de reemplazo de JMSH1018PGQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH1018PGQ datasheet
jmsh1018pgq.pdf
100V, 52A, 15.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 52 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 15.2 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli
jmsh1018pg.pdf
JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
jmsh1018pgd.pdf
100V, 26A, 17m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 26 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 17 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L-D S
jmsh1018pk.pdf
JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7880ADP | HAT2275R | DH100P28B | SI7636DP | AGM01P15D | JMTG080P03A | IPB024N10N5
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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