JMSH1018PGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1018PGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 383 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0197 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1018PGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1018PGQ даташит

 ..1. Size:1188K  jiejie micro
 jmsh1018pgq.pdf pdf_icon

JMSH1018PGQ

100V, 52A, 15.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 52 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 15.2 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

 4.1. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PGQ

JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 4.2. Size:1314K  jiejie micro
 jmsh1018pgd.pdf pdf_icon

JMSH1018PGQ

100V, 26A, 17m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 26 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 17 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L-D S

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PGQ

JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMH65R430ACFP, JMSH1018AC, JMSH1018AE, JMSH1018AG, JMSH1018PC, JMSH1018PE, JMSH1018PG, JMSH1018PGD, 12N60, JMSH1018PK, JMSH1018PP, JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ