JMPC34N20BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPC34N20BJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: TO220
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JMPC34N20BJ datasheet
jmpc34n20bj.pdf
200V, 34A, 65m N-channel Power Planar MOSFET JMPC34N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 34 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 65 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
Otros transistores... JMSH1018PGQ, JMSH1018PK, JMSH1018PP, JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, CS150N04A8, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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