JMPC34N20BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPC34N20BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMPC34N20BJ MOSFET
JMPC34N20BJ Datasheet (PDF)
jmpc34n20bj.pdf
200V, 34A, 65m N-channel Power Planar MOSFETJMPC34N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 34 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 65 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO
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