JMPC34N20BJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPC34N20BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMPC34N20BJ MOSFET
JMPC34N20BJ datasheet
jmpc34n20bj.pdf
200V, 34A, 65m N-channel Power Planar MOSFET JMPC34N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 34 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 65 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
Otros transistores... JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , BS170 , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ .
History: HAT2198R | HUF76633S3S | AFP6405S | AGM1095M | 2SK1431 | IXFP130N10T | FDC604P
History: HAT2198R | HUF76633S3S | AFP6405S | AGM1095M | 2SK1431 | IXFP130N10T | FDC604P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent

