JMPC34N20BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC34N20BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPC34N20BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC34N20BJ даташит

 ..1. Size:1251K  jiejie micro
 jmpc34n20bj.pdf pdf_icon

JMPC34N20BJ

200V, 34A, 65m N-channel Power Planar MOSFET JMPC34N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 34 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 65 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Другие IGBT... JMSH1018PGQ, JMSH1018PK, JMSH1018PP, JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, CS150N04A8, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ