JMPC34N20BJ - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMPC34N20BJ. Основные параметры


   Наименование производителя: JMPC34N20BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMPC34N20BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC34N20BJ даташит

 ..1. Size:1251K  jiejie micro
 jmpc34n20bj.pdf pdf_icon

JMPC34N20BJ

200V, 34A, 65m N-channel Power Planar MOSFET JMPC34N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 34 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 65 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Другие MOSFET... JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , BS170 , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ .

 

 
Back to Top

 


 
.