JMPC4N60BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPC4N60BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMPC4N60BJ MOSFET
JMPC4N60BJ Datasheet (PDF)
jmpc4n60bj.pdf
JMPC4N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 4A Load SwitchRDS(ON)
jmpc4n65bj.pdf
JMPC4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , 2SK3568 , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , JMSH1004AC .
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