JMPC4N60BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPC4N60BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMPC4N60BJ
JMPC4N60BJ Datasheet (PDF)
..1. Size:1046K jiejie micro
jmpc4n60bj.pdf
jmpc4n60bj.pdf
JMPC4N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 4A Load SwitchRDS(ON)
7.1. Size:440K jiejie micro
jmpc4n65bj.pdf
jmpc4n65bj.pdf
JMPC4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , 2SK3568 , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , JMSH1004AC .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM15N10D | AGM15N10AP | AGM150P10S | AGM150P10D | AGM150P10AP | AGM14N10D | AGM14N10AP | AGM14N10A | AGM1405F | AGM1405C1 | AGM13T30D | AGM13T30A | AGM13T15D | AGM13T15C | AGM13T15A | AGM20P22AS
Popular searches
k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns