JMPC4N60BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC4N60BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPC4N60BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC4N60BJ даташит

 ..1. Size:1046K  jiejie micro
 jmpc4n60bj.pdf pdf_icon

JMPC4N60BJ

JMPC4N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 4A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:440K  jiejie micro
 jmpc4n65bj.pdf pdf_icon

JMPC4N60BJ

JMPC4N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 4A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMSH1018PK, JMSH1018PP, JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, IRFP250, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC