JMPC52N20BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPC52N20BJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMPC52N20BJ datasheet

 ..1. Size:1249K  jiejie micro
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JMPC52N20BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFET JMPC52N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 9.1. Size:1041K  jiejie micro
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JMPC52N20BJ

JMPC5N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 5A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, IRF1407, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ