JMPC52N20BJ Todos los transistores

 

JMPC52N20BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC52N20BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de JMPC52N20BJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMPC52N20BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  jiejie micro
jmpc52n20bj.pdf pdf_icon

JMPC52N20BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFETJMPC52N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 52 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 9.1. Size:1041K  jiejie micro
jmpc5n50bj.pdf pdf_icon

JMPC52N20BJ

JMPC5N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 5A Load SwitchRDS(ON)

Otros transistores... JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , P0903BDG , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.