JMPC52N20BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMPC52N20BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMPC52N20BJ
JMPC52N20BJ Datasheet (PDF)
jmpc52n20bj.pdf
200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFETJMPC52N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 52 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO
jmpc5n50bj.pdf
JMPC5N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 5A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , P0903BDG , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , , , .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPC8N60BJ | JMPC840BJ | JMPC7N65BJ | JMPC630BJ | JMPC5N50BJ | JMPC52N20BJ | JMPC4N65BJ | JMPC4N60BJ | JMPC34N20BJ | JMH65R430APLN | JMH65R430AKQ | JMH65R430AK | JMH65R430AF | JMH65R430AE | JMSH1018PP | JMSH1018PK
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet