JMPC52N20BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC52N20BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPC52N20BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC52N20BJ даташит

 ..1. Size:1249K  jiejie micro
 jmpc52n20bj.pdf pdf_icon

JMPC52N20BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFET JMPC52N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 9.1. Size:1041K  jiejie micro
 jmpc5n50bj.pdf pdf_icon

JMPC52N20BJ

JMPC5N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 5A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, 10N65, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ