JMPC5N50BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPC5N50BJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.81 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMPC5N50BJ datasheet

 ..1. Size:1041K  jiejie micro
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JMPC5N50BJ

JMPC5N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 5A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1249K  jiejie micro
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JMPC5N50BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFET JMPC52N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Otros transistores... JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, 2SK3568, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC