JMPC5N50BJ Todos los transistores

 

JMPC5N50BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC5N50BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.81 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMPC5N50BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1041K  jiejie micro
jmpc5n50bj.pdf pdf_icon

JMPC5N50BJ

JMPC5N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 5A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1249K  jiejie micro
jmpc52n20bj.pdf pdf_icon

JMPC5N50BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFETJMPC52N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 52 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

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