JMPC5N50BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC5N50BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.81 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPC5N50BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC5N50BJ даташит

 ..1. Size:1041K  jiejie micro
 jmpc5n50bj.pdf pdf_icon

JMPC5N50BJ

JMPC5N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 5A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1249K  jiejie micro
 jmpc52n20bj.pdf pdf_icon

JMPC5N50BJ

200V, 52A, 49m N-channel Power Planar MOSFET JMPC52N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 49 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Другие IGBT... JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, IRF1407, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC