JMPC7N65BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPC7N65BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMPC7N65BJ MOSFET
JMPC7N65BJ Datasheet (PDF)
jmpc7n65bj.pdf
JMPC7N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 7A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , 5N60 , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , JMSH1004AC , JMSH1004AE , JMSH1004AEQ , JMSH1004BC , JMSH1004BE , JMSH1004BEQ .
History: AP1003BST | SSW80R180S2 | AP4800DGM-HF
History: AP1003BST | SSW80R180S2 | AP4800DGM-HF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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