JMPC7N65BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC7N65BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JMPC7N65BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC7N65BJ даташит

 ..1. Size:432K  jiejie micro
 jmpc7n65bj.pdf pdf_icon

JMPC7N65BJ

JMPC7N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 7A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, 5N60, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC, JMSH1004BE, JMSH1004BEQ