JMSH0406AGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0406AGQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSH0406AGQ datasheet

 ..1. Size:399K  jiejie micro
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JMSH0406AGQ

JMSH0406AGQ 40V 4.1m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications P

 4.1. Size:345K  jiejie micro
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JMSH0406AGQ

JMSH0406AG 40V 4.1m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

 4.2. Size:390K  jiejie micro
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JMSH0406AGQ

JMSH0406AGDQ 40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio

 4.3. Size:285K  jiejie micro
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JMSH0406AGQ

JMSH0406AGD 40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit Low Gate Charge, Qg VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE

Otros transistores... JMSH1002TE, JMSH1002TTL, JMSH1002YC, JMSH1002YE, JMSH1002YTL, JMSH0406AG, JMSH0406AGD, JMSH0406AGDQ, IRFB4227, JMSH0406AK, JMSH0406AKQ, JMSH0406AU, JMSH0406PG, JMSH0406PGD, JMSH0406PGDQ, JMSH0406PGQ, JMSH0406PK