JMSH0406AGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0406AGQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH0406AGQ
JMSH0406AGQ Datasheet (PDF)
jmsh0406agq.pdf

JMSH0406AGQ40V 4.1m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications P
jmsh0406ag.pdf

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406agdq.pdf

JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio
jmsh0406agd.pdf

JMSH0406AGD40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge, Qg VDS40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE
Другие MOSFET... JMSH1002TE , JMSH1002TTL , JMSH1002YC , JMSH1002YE , JMSH1002YTL , JMSH0406AG , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , AON6414A , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , JMSH0406PGQ , JMSH0406PK .
History: JMSH1002YTL | JMSH0406AG
History: JMSH1002YTL | JMSH0406AG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JVC502E | JVC113T | JVC105E | JVC103T | JVC103K | JVC085T | JMTY2310A | JMTY11DN10A | JMTV3400A | JVL102Y | JVL102T | JVL102E | JVL101N | JVE103T | JVE102T | JVE102G
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent