JMSH0406AGQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH0406AGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0406AGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0406AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  jiejie micro
jmsh0406agq.pdfpdf_icon

JMSH0406AGQ

JMSH0406AGQ40V 4.1m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications P

 4.1. Size:345K  jiejie micro
jmsh0406ag.pdfpdf_icon

JMSH0406AGQ

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 4.2. Size:390K  jiejie micro
jmsh0406agdq.pdfpdf_icon

JMSH0406AGQ

JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio

 4.3. Size:285K  jiejie micro
jmsh0406agd.pdfpdf_icon

JMSH0406AGQ

JMSH0406AGD40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge, Qg VDS40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE

Другие MOSFET... JMSH1002TE , JMSH1002TTL , JMSH1002YC , JMSH1002YE , JMSH1002YTL , JMSH0406AG , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , AON6414A , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , JMSH0406PGQ , JMSH0406PK .

History: JMSH1002YTL | JMSH0406AG

 

 
Back to Top

 


 
.