JMSL0401PGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0401PGQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 355 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL0401PGQ datasheet

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JMSL0401PGQ

40V, 297A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 297 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.2 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

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