JMSL0401PGQ Todos los transistores

 

JMSL0401PGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0401PGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 355 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0401PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  jiejie micro
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JMSL0401PGQ

40V, 355A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 355 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 m AEC-Q101 QualifiedApplications

 4.1. Size:1204K  jiejie micro
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JMSL0401PGQ

40V, 297A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 297 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.2 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:370K  jiejie micro
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JMSL0401PGQ

 6.2. Size:320K  jiejie micro
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JMSL0401PGQ

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