JMSL0401PGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0401PGQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 355 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0401PGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0401PGQ даташит

 ..1. Size:523K  jiejie micro
 jmsl0401pgq.pdf pdf_icon

JMSL0401PGQ

 4.1. Size:1204K  jiejie micro
 jmsl0401pg.pdf pdf_icon

JMSL0401PGQ

40V, 297A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 297 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.2 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:370K  jiejie micro
 jmsl0401bgq.pdf pdf_icon

JMSL0401PGQ

 6.2. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0401bg.pdf pdf_icon

JMSL0401PGQ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1010PC, JMSH1010PG, JMSH1010PK, JMSH1010PU, JMSH0406PU, JMSH0406PUQ, JMSH0406BUQ, JMSL0401PG, AON7506, JMSL0402AG, JMSL0402AGQ, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ