JMTV100N02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTV100N02A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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JMTV100N02A datasheet

 ..1. Size:1140K  jiejie micro
 jmtv100n02a.pdf pdf_icon

JMTV100N02A

JMTV100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:424K  jiejie micro
 jmtv120n03a.pdf pdf_icon

JMTV100N02A

JMTV120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)

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