JMTV100N02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTV100N02A

Маркировка: 100N02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для JMTV100N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTV100N02A даташит

 ..1. Size:1140K  jiejie micro
 jmtv100n02a.pdf pdf_icon

JMTV100N02A

JMTV100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:424K  jiejie micro
 jmtv120n03a.pdf pdf_icon

JMTV100N02A

JMTV120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMSL0402PG, JMSL0402PTL, JMSL0402TG, JMTR3002A, JMTT8810KS, JMTV070N02A, JMTV075N03A, JMTV080N02A, IRF2807, JMTV120N03A, JMTV200P03A, JMTV210P02A, JMTV2305A, JMTV2333A, JMTV240N03A, JMTV250P02A, JMTV3010A