JMTP850P04A Todos los transistores

 

JMTP850P04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP850P04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMTP850P04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1382K  jiejie micro
 jmtp850p04a.pdf pdf_icon

JMTP850P04A

-40V, -5A, 72m P-channel Power Trench MOSFETJMTP850P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS -40 V Pb-free platingVGS(th)_Typ -1.6 VID(@VGS=10V) -5 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 54 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 72 mW PWM Application Power ManagementDG

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