JMTP850P04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP850P04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOP8L

Аналог (замена) для JMTP850P04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP850P04A даташит

 ..1. Size:1382K  jiejie micro
 jmtp850p04a.pdf pdf_icon

JMTP850P04A

-40V, -5A, 72m P-channel Power Trench MOSFET JMTP850P04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS -40 V Pb-free plating VGS(th)_Typ -1.6 V ID(@VGS=10V) -5 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 54 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 72 mW PWM Application Power Management D G

Другие IGBT... JMTP4406A, JMTP4407A, JMTP4407B, JMTP440P04A, JMTP4435A, JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, EMB04N03H, JMTP9435A, JMTP9926A, JMTP9926B, JMTJ100N02A, JMTJ11DN10A, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A