Справочник MOSFET. JMTP850P04A

 

JMTP850P04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTP850P04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8L
 

 Аналог (замена) для JMTP850P04A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP850P04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1382K  jiejie micro
 jmtp850p04a.pdf pdf_icon

JMTP850P04A

-40V, -5A, 72m P-channel Power Trench MOSFETJMTP850P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS -40 V Pb-free platingVGS(th)_Typ -1.6 VID(@VGS=10V) -5 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 54 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 72 mW PWM Application Power ManagementDG

Другие MOSFET... JMTP4406A , JMTP4407A , JMTP4407B , JMTP440P04A , JMTP4435A , JMTP4953A , JMTP4953B , JMTP520P04A , 2SK3918 , JMTP9435A , JMTP9926A , JMTP9926B , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.