JMTJ100N02A Todos los transistores

 

JMTJ100N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTJ100N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTJ100N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:960K  jiejie micro
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JMTJ100N02A

JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1226K  jiejie micro
 jmtj11dn10a.pdf pdf_icon

JMTJ100N02A

100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ11DN10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 100 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 3 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power ManagementD1G1S

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History: JMTP340P03A

 

 
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