JMTJ100N02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTJ100N02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для JMTJ100N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTJ100N02A даташит

 ..1. Size:960K  jiejie micro
 jmtj100n02a.pdf pdf_icon

JMTJ100N02A

JMTJ100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 20V, 8A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1226K  jiejie micro
 jmtj11dn10a.pdf pdf_icon

JMTJ100N02A

100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFET JMTJ11DN10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 100 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 3 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power Management D1 G1 S

Другие IGBT... JMTP4435A, JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, JMTP850P04A, JMTP9435A, JMTP9926A, JMTP9926B, AO4407A, JMTJ11DN10A, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A, JMTJ250P02A, JMTJ3400A, JMTJ3401A, JMTJ3401B