JMTP170N06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP170N06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0204 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JMTP170N06D datasheet

 ..1. Size:1267K  jiejie micro
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JMTP170N06D

60V, 9.2A, 18m N-channel Power Trench MOSFET JMTP170N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 9.2 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16.7 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.3 mW Load Switch PWM Application

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JMTP170N06D

JMTP170N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 10A Load Switch R

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JMTP170N06D

JMTP170C04D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 40V, 10A Battery Protection R

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
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JMTP170N06D

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

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