JMTP3010D Todos los transistores

 

JMTP3010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP3010D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP3010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  jiejie micro
 jmtp3010d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 12A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:478K  jiejie micro
 jmtp3008a.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3008ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:352K  jiejie micro
 jmtp380n03d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP380N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 4.5A Load SwitchR

 9.2. Size:1290K  jiejie micro
 jmtp330n06d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFETJMTP330N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 5 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

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