JMTP3010D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP3010D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JMTP3010D datasheet

 ..1. Size:400K  jiejie micro
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JMTP3010D

JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:478K  jiejie micro
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JMTP3010D

JMTP3008A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 15A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:352K  jiejie micro
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JMTP3010D

JMTP380N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 4.5A Load Switch R

 9.2. Size:1290K  jiejie micro
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JMTP3010D

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFET JMTP330N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 5 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

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