Справочник MOSFET. JMTP3010D

 

JMTP3010D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTP3010D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMTP3010D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP3010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  jiejie micro
 jmtp3010d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 12A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:478K  jiejie micro
 jmtp3008a.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3008ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:352K  jiejie micro
 jmtp380n03d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP380N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 4.5A Load SwitchR

 9.2. Size:1290K  jiejie micro
 jmtp330n06d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFETJMTP330N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 5 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTP170N06A , JMTP170N06D , JMTP230C04D , JMTP240C03D , JMTP240N03D , JMTP250P03A , JMTP260N03D , JMTP3008A , IRF4905 , JMTP330N06D , , , , , , , .

History: IRHF57234SE | IRL3715Z | FDD6670AL | IRF2807L | JMTP240C03D

 

 
Back to Top

 


 
.