JMTP3010D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP3010D

Маркировка: 3010D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP3010D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP3010D даташит

 ..1. Size:400K  jiejie micro
 jmtp3010d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:478K  jiejie micro
 jmtp3008a.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP3008A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 15A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:352K  jiejie micro
 jmtp380n03d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

JMTP380N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 4.5A Load Switch R

 9.2. Size:1290K  jiejie micro
 jmtp330n06d.pdf pdf_icon

JMTP3010D

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFET JMTP330N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 5 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP170N06A, JMTP170N06D, JMTP230C04D, JMTP240C03D, JMTP240N03D, JMTP250P03A, JMTP260N03D, JMTP3008A, IRF4905, JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, JMSL0601BG, JMSL0601BGQ, JMSL0601TG, JMSL0602AG, JMSL0602AGQ