JMTC085P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTC085P04A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMTC085P04A datasheet

 ..1. Size:427K  jiejie micro
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JMTC085P04A

JMTC085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:1247K  jiejie micro
 jmtc018n03a.pdf pdf_icon

JMTC085P04A

30V, 190A, 2.8m N-channel Power Trench MOSFET JMTC018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.8 mW Load Switch PWM Application

 9.2. Size:1249K  jiejie micro
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JMTC085P04A

60V, 120A, 4.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTC060N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 120 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

 9.3. Size:1250K  jiejie micro
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JMTC085P04A

40V, 150A, 3.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTC035N04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 150 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

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