JMTC170N10A Todos los transistores

 

JMTC170N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTC170N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 169 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMTC170N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  jiejie micro
 jmtc170n10a.pdf pdf_icon

JMTC170N10A

100V, 59A, 16m N-channel Power Trench MOSFETJMTC170N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 59 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 9.1. Size:1267K  jiejie micro
 jmtc110n06a.pdf pdf_icon

JMTC170N10A

60V, 55A, 11.1m N-channel Power Trench MOSFETJMTC110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 AApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 11.1 mW Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

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History: STP6NA60 | IXTC62N15P

 

 
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