JMTC170N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTC170N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 169 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMTC170N10A datasheet

 ..1. Size:1270K  jiejie micro
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JMTC170N10A

100V, 59A, 16m N-channel Power Trench MOSFET JMTC170N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 59 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 9.1. Size:1267K  jiejie micro
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JMTC170N10A

60V, 55A, 11.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTC110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 11.1 mW Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

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