Справочник MOSFET. JMTC170N10A

 

JMTC170N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTC170N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 169 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMTC170N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTC170N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  jiejie micro
 jmtc170n10a.pdf pdf_icon

JMTC170N10A

100V, 59A, 16m N-channel Power Trench MOSFETJMTC170N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 59 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 9.1. Size:1267K  jiejie micro
 jmtc110n06a.pdf pdf_icon

JMTC170N10A

60V, 55A, 11.1m N-channel Power Trench MOSFETJMTC110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 AApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 11.1 mW Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

Другие MOSFET... JMTC018N03A , JMTC025N04D , JMTC035N04A , JMTC035N06D , JMTC060N06A , JMTC068N07A , JMTC085P04A , JMTC110N06A , 10N65 , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , JMTC58N06B , JMTC60N04B , JMTC6888A .

History: IXTC62N15P

 

 
Back to Top

 


 
.