JMTC58N06B Todos los transistores

 

JMTC58N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTC58N06B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMTC58N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1164K  jiejie micro
 jmtc58n06b.pdf pdf_icon

JMTC58N06B

60V, 58A, 8.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTC58N06BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 58 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

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History: P0260ED | IXFH18N60X | STK23N05L | FTP10N60C | FDD8796 | 2SK456

 

 
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